曝露されたTiO_2膜とAg/TiO_2/p Si MOS素子の17keVX線の光学的および電気的特性【Powered by NICT】

Ishfaq M.; Khan M. Rizwan; Ali Awais; Bhardwaj Sunil; Cepek Cinzia; Bhatti A.S.

文献

J-GLOBAL ID：201702281648492657 整理番号：17A0754688

曝露されたTiO_2膜とAg/TiO_2/p Si MOS素子の17keVX線の光学的および電気的特性【Powered by NICT】

Optical and electrical characteristics of 17keV X-rays exposed TiO₂ films and Ag/TiO₂/p-Si MOS device

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0754688&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0754688&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1055A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 63 ページ： 107-114 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Ag/TiO_/p Si MOSデバイスに対するX線放射の様々な用量の効果を示した。デバイス機能は,SiOとTiOのから成る界面層の形成,分光学的偏光解析法によって確認されたように強く依存することが観察された。XRDパターンは,調製したままのTiO_2膜はアナターゼ相と17keV X線微小ルチル相の形成をもたらしたの様々な用量への曝露を持つことを示した。X線曝露された膜では,還元されたTi~3+状態は観察されなかった;がTi-O結合の割合は解離と少量の酸素空格子点を作成した。デバイス性能は主にTiO_2/Si界面に形成された界面層の性質と組成によって影響されたことが観察された。分光偏光解析法は,界面層の屈折率,波長633nmのSi(3.87)とTiO_2(2.11)の間にある2.80を決定するために用いた。dcおよび周波数に依存する電気測定は,界面欠陥(トラップ)は,両タイプの電荷キャリアのであることを示した。SiOの存在は正電荷トラップの生成の原因である。界面トラップ密度と緩和時間(τ)をdcおよび周波数依存性(100Hz 1MHz)ac電気測定により決定し,分析した。G/ω対log(f)におけるピークの出現は,界面トラップの存在を確認した。界面トラップは最初に10kGyの暴露まで増加し,その後界面層のSiO_x部分における正電荷トラップによる補償による高用量で減少した。多数界面欠陥であった低周波数で活性であり,高周波での限界値に減少することを観察した。緩和時間,τの値は 1.0Vで0Vと7.6±0.2×10~ 5sで4.3±0.02×10~ 4sの範囲であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： , , ,

ダイオード , 金属-絶縁体-半導体構造

, , , , ,

前のページに戻る