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J-GLOBAL ID:201702282820124995   整理番号:17A0260623

混合物Β-(AL,GA)_2O_3のバンドギャップ調節【JST・京大機械翻訳】

Wide Bandgap Engineering of β-(Al, Ga)_2O_3 Mixed Crystals
著者 (6件):
資料名:
巻: 31  号: 11  ページ: 1258-1262  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2432A  ISSN: 1000-324X  CODEN: WCXUET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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異なる濃度のΒ-(AL,GA)_2O_3混合物を光学的方法により成長させた。AL(3+)濃度が0.26に達したとき,結晶成長は亀裂を示した。X線回折分析の結果,Β-(AL,GA)_2O_3混合結晶はΒ-GA_2O_3結晶構造を保持し,結晶の他の不純物相はなく,格子定数A,B,Cは減少し,Β角は増加した。核磁気共鳴スペクトルによると、ALはGAの格子点に入り、GAの四配位と六方晶を置換し、両者の比率は約1である。3.Β-(AL,GA)_2O_3混合物の透過スペクトルを測定することによって,Β-(AL,GA)_2O_3混合物のバンドギャップ範囲は4.72~5.32EVであり,Β-GA_2O_3結晶のより短いバンドの光電子検出器への応用を拡大した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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珪酸塩鉱物  ,  電気めっき 
タイトルに関連する用語 (5件):
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