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J-GLOBAL ID：201702283872223780   整理番号：17A0210968

不揮発性論理計算用のハイブリッド型メモリスタ-CMOS XORゲート

A hybrid memristor-CMOS XOR gate for nonvolatile logic computation

著者 (11件)： Zhou Yaxiong (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Zhou Yaxiong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Li Yi (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Li Yi (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Xu Lei (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Xu Lei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Zhong Shujing (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Zhong Shujing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Xu Ronggang (Huawei Technologies Co., Ltd., 310051, Hangzhou, P.R. China) ,  Miao Xiangshui (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China) ,  Miao Xiangshui (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, 430074, Wuhan, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 4  ページ： 1050-1054  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶と論理演算を実行できるメモリスタ-ベースの論理ゲートは,非von-Neumann計算アーキテクチャを構築するための有望な構成要素である。本稿では,MOSFETあるいは伝送ゲートのような1つのメモリスタと4つの電圧制御スイッチを備えた基本的なハイブリッド型メモリスタ-CMOSから成る不揮発性XORブール論理ブロックを提案する。ブロックのXOR機能を実験的に示すために,バイポーラ抵抗スイッチング動作を示すAg/Ag₅In₅Sb₆₀Te₃₀/Ta構造を持つメモリスタを利用した。更に,XOR論理ブロックに基づき,HSPICEシミュレーションによって大規模な回路例としての全加算器を設計し,検証した。本研究では,メモリスタによるロジック・イン・メモリの性能を示し,不揮発性論理演算を実装して,並列計算システムを構築する別の方法を述べる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  半導体集積回路 ,  *排他的OR回路 ,  *不揮発性メモリ ,  *回路部品 ,  *スイッチング ,  銀 ,  テルル ,  銀化合物 ,  インジウム化合物 ,  *アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  加算器 ,  *論理演算 ,  並列演算 ,  論理回路 ,  バイポーラ論理回路 ,  全加算器 ,  *抵抗スイッチング ,  *MOS構造
準シソーラス用語： *XORゲート ,  *メモリスタ ,  並列計算

著者キーワード (6件)： AgInSbTe ,  logic gates ,  memristors ,  non-volatile memories ,  resistive switching ,  XOR

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  ディジタル計算機ハードウェア一般  (JC04010C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性 ,  ハイブリッド型 ,  メモリスタ ,  CMOS ,  XORゲート