文献
J-GLOBAL ID:201702284028259795   整理番号:17A0403136

パルスレーザ蒸着により成長させた鉛フリー(Sr_0 5Bi_0)_2Mn_2xTi_xO_6δペロブスカイト薄膜の基板に誘起された誘電分極【Powered by NICT】

Substrate-induced dielectric polarization in thin films of lead-free (Sr0.5Bi0.5)2Mn2-xTixO6-δ perovskites grown by pulsed laser deposition
著者 (4件):
資料名:
巻: 399  ページ: 387-395  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SrBiMn_2xTi_xO_6+δの薄膜をSrTiO_3[100]と[111]基板上にパルスレーザ蒸着により作製した。集合組織,幅,均一性および形態をXRD,SEM,XPSを用いて評価したが,複素インピーダンス分光法を用いて,それらの電気的応答を解析することである。厚さ値は実験条件に依存して80~900nmの範囲にある。エピタキシャル成長は微細構造起源の二つの寄与によって説明されるかもしれない:マトリックス部分といくつかの多結晶の表面形成(ヘミスフェア)。テクスチャ研究を走査型電子顕微鏡画像を用いたコヒーレントファイバ型配向形態を示唆した。XPS分析は,A-副格子カチオンに関する偏析,基板配向に依存する特徴を示した。この偏析はナノ極性領域の開発と関連付けることができた。インピーダンスデータは,試料中の電気分極を示す対応する粉末試料のバルク応答と比較して増強できる。x=0~0.50で得られたVogel-Fulcher則に適合するリラクサ挙動ほとんど周波数に依存しないリラクサ型強誘電挙動がSrTiO_3[111]基板上に成長させたx=0.25組成の最も薄い膜に対して記録された。得られた誘電応答の組成及び構造的側面の影響を解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 

前のページに戻る