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J-GLOBAL ID：201702288147091577   整理番号：17A0353917

CO_2プラズマ処理によるSNO_2:P-A-SIC:H障壁の制御【JST・京大機械翻訳】

THE CONTROL OF SnO_2: F/P-a-SiC: H SCHOTTKY BARRIER BY CO_2 PLASMA TREATMENT

著者 (6件)： Li Tiantian (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University) ,  Zhang Xiaodan (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University) ,  Zhang Dekun (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University) ,  Sun Jian (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University) ,  Wang Guangcai (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University) ,  Zhao Ying (Institute of Photo-Electronic Thin Film Device and Technique, Nankai University)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 37  号： 11  ページ： 2988-2993  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： FTO導電性ガラスを,CO_2プラズマ(COP)によって処理し,そして,FTO/P-A-SICを,処理時間を制御することによって,処理した。HショアはSCHOTTKYの調節を示した。実験結果は,COPがFTO表面にわずかなエッチング効果を持ち,その上,Rong度に影響することを示した。同時に、-効果の減弱により、短波における吸収の増加が引き起こされる。COP処理FTOはその表面の酸素吸着量を増加させ,さらに表面エネルギーを増加させる。COPは,短時間でのFTOの応答を減少させることができ,そして,試験結果は,COPの増加によって,FTOの仕事関数が,0.18EV増加し,そして,FTO/P-A-SICが減少したことを示した。H界面は処肖である。COP処理のFTO前電極の電池V_(OC)は未処理の0.92Vから処理後の0.99VとFFが0.68から0.70に向上した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 短波 ,  仕事関数 ,  *プラズマ ,  酸素 ,  界面 ,  加工時間 ,  *プラズマ処理 ,  電池 ,  エッチング ,  表面エネルギー ,  吸着量 ,  導電性ガラス ,  時間 ,  加工条件 ,  条件

著者キーワード (4件)： CO_2 plasma ,  FTO ,  Schottky barrier ,  a-Si:H solar cell

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： プラズマ処理 ,  障壁