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J-GLOBAL ID：201702291042392089   整理番号：17A0037958

La_0.7Ca_0.3MnO₃/SrTiO₃超薄膜の平面Hall効果における角度依存性符号反転

Sign reversal of angular dependence of Planar Hall Effect in La_0.7Ca_0.3MnO₃/SrTiO₃ ultrathin film

著者 (4件)： Sharma Himanshu (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400 076, India) ,  Bana Hanuman (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400 076, India) ,  Tulapurkar Ashwin (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400 076, India) ,  Tomy C.V. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400 076, India)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 180  ページ： 5-8  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La_0.7Ca_0.3MnO₃(LCMO)超薄膜の輸送特性と磁気特性に対する歪の効果を調べた。本報では,SrTiO₃(001)基板(STO)上に堆積させたLCMO超薄膜(厚さ約4nm)の平面Hall効果(PHE)において,歪に誘起された角度依存性の符号反転を観測したので報告する。異方性磁気抵抗(AMR)におけるこの符号反転の観察は,以前にも筆者らが報告している(H. Sharmaら,Appl. Phys. Lett. 105, p.222406 (2014))。4nmの薄膜におけるAMRおよびPHE角度依存性の符号反転が磁場または温度の変化によって起こることは,薄膜の面内の引張歪増加に帰せられ,それが磁化容易軸の回転を促進していると考えられる。これらの薄膜を用いて,高磁場または低磁場スイッチング素子の製造が可能である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,  *カルシウム化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  *超薄膜 ,  *Hall効果 ,  角度依存性 ,  磁気的性質 ,  磁気抵抗 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  磁気異方性 ,  磁場効果 ,  温度依存性 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 異方性磁気抵抗 ,  極性反転 ,  磁化容易軸 ,  磁気特性 ,  *複合酸化物 ,  輸送特性 ,  歪効果 ,  LCMO【化合物】

著者キーワード (4件)： Magnetic materials ,  Oxide ,  Hall effect ,  Thin films

分類 (2件)： 非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超薄膜 ,  Hall効果 ,  角度依存性 ,  符号 ,  反転