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J-GLOBAL ID：201702291204999242   整理番号：17A0354498

第一原理計算により,HC(NH_2)_2PBI_3ペロブスカイト(三方相の六方晶系六方晶系)の構造と光電特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

First-Principles Theory Investigation on Structural and Photoelectronic Properties of Perovskites: Trigonal versus Hexagonal HC(NH_2)_2PbI_3

著者 (7件)： Zhao Zigang (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Lu Xiaoqing (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Li Ke (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Wei Shuxian (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Liu Xuefeng (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Niu Kai (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao)) ,  Guo Wenyue (College of Science, China University of Petroleum(Qingdao))
資料名： Huaxue Xuebao  (Huaxue Xuebao)
巻： 74  号： 12  ページ： 1003-1008  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0391B  ISSN： 0567-7351  CODEN： HHHPA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 第一原理を用いて,三方晶と六方晶系FAPBI_3(FA=HC(NH_2)_2+)ペロブスカイトの構造と光電特性を研究した。その結果によると,FAPBI_3ペロブスカイトは六方晶から六方晶まで変形することによりPBI_3骨格をねじれ,PB-I結合特性を変化させ,そのバンドギャップ幅を変えることができる。二つの結晶は直接バンドギャップ半導体に属し、三相相_3の直接バンドギャップはBRILLOUINZ(0, 0, 0.5)対に位置し、比較的理想的な約1.50EVの禁止帯幅を有する。六方晶系FAPBI_3の直接バンドギャップはΓ(0, 0, 0)対に位置し,約2.50EVのバンドギャップを有する。FAイオンは電子移動過程に直接関与せず、電荷供与体としてPBI_3骨格のみが0.7Eを超える電荷を提供する。六方晶系FAPBI_3と比較して,三_3はより小さなキャリアの有効質量を有し,吸収スペクトルは赤方偏移し,その吸収特性は六方晶系FAPBI_3と正方晶MAPBI_3(MA=CH_3NH_3+)よりも優れていた。六方晶系FAPBI_3は三方晶系より安定で、FAとPBI_3骨格間の結合力はMAとPBI_3骨格間の作用力より強い。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三方晶系 ,  吸収スペクトル ,  *六方晶系 ,  ドナー ,  バンドギャップ ,  赤方偏移 ,  キャリア ,  正方晶系 ,  電子移動 ,  *第一原理 ,  有効質量 ,  電荷
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  *光電気 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HC(NH_2)_2PbI_3 perovskite ,  first-principles theory ,  crystal deformation ,  photoelectronic property ,  bonding energy

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理計算 ,  HC ,  ペロブスカイト ,  六方晶系 ,  光電特性 ,  研究