文献

J-GLOBAL ID：201702291210696914   整理番号：17A0697921

高Curie温度PMN PHT圧電セラミックの強誘電相転移と電気伝導機構【Powered by NICT】

Ferroelectric phase transition and electrical conduction mechanisms in high Curie-temperature PMN-PHT piezoelectric ceramics

著者 (9件)： Zhu Rongfeng (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Ji Wanwan (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Fang Bijun (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Wu Dun (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Chen Zhihui (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Ding Jianning (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovolatic Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China) ,  Ding Jianning (School of Material Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Zhao Xiangyong (Key Laboratory of Optoelectronic Material and Device, Department of Physics, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Luo Haosu (Key Laboratory of Inorganic Function Material and Device, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 6417-6424  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高Curie点(T_C)0.15Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_3 4PbHfO_3 0.45PbTiO_3(PMN PHT)圧電セラミックの強誘電相転移特性と電気伝導機構を温度依存Ramanスペクトルおよび電気的性質によって研究した。唯一の一次強誘電相転移は,温度依存誘電率の熱ヒステリシス挙動とPMN PHTセラミックにおけるT_C近傍における逆誘電率ξ(1/ε_r)/dTの誘導体の劇的な低下によって実証した。温度依存Raman分光法は,PMN PHTセラミックにおけるT_C付近で強誘電-常誘電相転移の更なる証拠を提供するだけでなく,極性ナノ領域(PNRs)の逐次相対称性変化,加熱時にいくつかの選択されたRamanモードのRamanピークの波数,波数距離,強度,強度比,と線幅に現れる見かけの異常を明らかにした。典型的な唯一のCole-Cole円を440 560°Cの温度範囲におけるPMN PHTセラミックに対して得られ,電気伝導の活性化エネルギー(E_a)は~1.2eVで計算した基づいている。E_aのこのような低い値は,焼結過程でPbの蒸発により誘導されたPHT PMNセラミック中に形成された酸素空格子点が高温外因性電気伝導を支配することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  *電気伝導 ,  誘電率 ,  焼結 ,  *相転移 ,  温度依存性 ,  熱履歴 ,  *圧電セラミック ,  鉛 ,  Ramanスペクトル ,  *セラミック ,  対称性 ,  活性化エネルギー ,  *伝導機構 ,  *強誘電相転移

著者キーワード (5件)： PMN PHTセラミック ,  Raman分光法 ,  電気的性質 ,  強誘電相転移 ,  電気伝導機構

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： Curie温度 ,  PMN ,  圧電セラミック ,  強誘電相転移 ,  電気伝導