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J-GLOBAL ID：201102262291396083   整理番号：11A1490968

分子線エピタキシー法によるエピタキシャル成長薄膜を用いた超伝導トンネル接合の作製

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著者 (8件)： 濱尾俊幸 (埼玉大 大学院) ,  有吉誠一郎 (理研) ,  田井野徹 (埼玉大 大学院) ,  明連広昭 (埼玉大 大学院) ,  古賀健祐 (理研) ,  古賀健祐 (東北大 大学院) ,  大谷知行 (理研) ,  大谷知行 (東北大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31P-ZM-5  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *MBE成長 ,  金属薄膜 ,  膜厚 ,  計測器 ,  *結晶度 ,  X線回折 ,  基板温度 ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面粗さ ,  平坦性 ,  *超伝導トンネル接合 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  段差計 ,  結晶性

分類 (2件)： Josephson接合・素子  (BM04043E) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー法 ,  エピタキシャル成長 ,  薄膜 ,  超伝導トンネル接合 ,  作製