特許
J-GLOBAL ID：201203087579987331
スピントランジスタおよび磁気デバイス
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029048
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169450
出願日： 2011年02月14日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：
【課題】磁化の相対角度で出力電流が制御可能で、かつ、ゲート層に電圧を印加することでも出力電流が制御可能なスピントランジスタを提供する。また、このスピントランジスタを集積化した磁気メモリや不揮発性論理回路などの磁気デバイスを提供する。【解決手段】ソース層14、ゲート層13およびドレイン層15が、ハーフメタルホイスラー合金から成る。ソース層14とゲート層13との間に介在する第1の絶縁層16、および、ゲート層13とドレイン層15との間に介在する第2の絶縁層17が、酸化マグネシウム(MgO)から成る。ゲート層13を含み、ゲート層13に静電容量を介してゲート電圧を印加可能なゲート構造が、クロム/酸化マグネシウム/ハーフメタルホイスラー合金から成る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ハーフメタルによって構成されたソース層、ゲート層およびドレイン層と、
前記ソース層と前記ゲート層との間に介在する第1の絶縁層と、
前記ゲート層と前記ドレイン層との間に介在する第2の絶縁層と、
前記ゲート層を含み、前記ゲート層に静電容量を介してゲート電圧を印加可能なゲート構造とを、
備えることを特徴とするスピントランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/82
, H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 29/66
H01L29/82 Z
, H01L27/10 447
, H01L29/66 M
4M119AA15
, 4M119BB13
, 5F092AA02
, 5F092AB06
, 5F092AB10
, 5F092AC24
, 5F092BD05
, 5F092BD13
, 5F092BD14
, 5F092BE27
