特許
J-GLOBAL ID：201303010813490998
窒化物半導体の評価方法及び評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高田 守
, 高橋 英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166624
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004706
特許番号：特許第5125252号
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体に音波を照射してピエゾ分極を発生させる工程と、
プローブ光を前記窒化物半導体に照射する工程と、
前記窒化物半導体で反射又は透過した前記プローブ光の変調スペクトルを測定する工程と、
前記変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて前記窒化物半導体の内部電場を求める工程と、
前記音波の伝搬方向に対してコリニアであるポジショニング用光ビームを前記窒化物半導体に照射する工程と、
前記ポジショニング用光ビームの前記窒化物半導体の表面上での照射位置に基づいて、前記プローブ光と前記音波が前記窒化物半導体の表面上で交差するように調整する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体の評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01N 21/27 ( 200 6.01)
, G01N 21/00 ( 200 6.01)
, G01N 29/00 ( 200 6.01)
H01L 21/66 L
, G01N 21/27 B
, G01N 21/00 B
, G01N 29/00
