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J-GLOBAL ID：201402256507483492   整理番号：14A1099475

イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性及びデバイス特性評価

著者 (10件)： 中込諒 (山梨大 クリスタル研) ,  酒井翔一朗 (山梨大 クリスタル研) ,  藤原幸亮 (山梨大 クリスタル研) ,  古川洋志 (山梨大 クリスタル研) ,  有元圭介 (山梨大 クリスタル研) ,  山中淳二 (山梨大 クリスタル研) ,  中川清和 (山梨大 クリスタル研) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大) ,  星裕介 (名古屋大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.18P-PB10-6  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  歪 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  *積層構造 ,  *結晶度 ,  キャリア移動度 ,  有効質量 ,  緩和現象 ,  バッファ層 ,  素子構造 ,  *MOSFET ,  点欠陥 ,  ジシラン ,  MBE成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  半導体薄膜 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *デバイス特性 ,  ヘテロ構造 ,  圧縮歪 ,  正孔移動度 ,  *歪シリコン ,  歪緩和 ,  ガスソースMBE

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トリメチルシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入法 ,  作製 ,  圧縮歪み ,  Si ,  結晶性 ,  特性評価