特許
J-GLOBAL ID：201403040920625484
ナノチューブの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-161380
公開番号（公開出願番号）：特開2012-020910
特許番号：特許第5390483号
出願日： 2010年07月16日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化シリコンからなる基板の上に、CoおよびNiより選択された金属の微粒子を直接形成する第1工程と、
ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、前記微粒子よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブを成長する第2工程と
を少なくとも備えることを特徴とするナノチューブの形成方法。
IPC (6件)：
C01B 31/02 ( 200 6.01)
, B01J 23/75 ( 200 6.01)
, B01J 23/755 ( 200 6.01)
, B01J 35/02 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
, C23C 16/26 ( 200 6.01)
C01B 31/02 101 F
, B01J 23/74 311 M
, B01J 23/74 321 M
, B01J 35/02 H
, C23C 14/08 J
, C23C 16/26
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
