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J-GLOBAL ID:201502214293580170   整理番号:15A1166267

電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性

Electrochemical formation and UV photoresponse properties of GaN porous structures
著者 (4件):
資料名:
巻: 115  号: 170(ED2015 47-53)  ページ: 51-54  発行年: 2015年07月27日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分光電気化学測定法を用いて,GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した。構造のもつ大きな表面積と低い光反射率特性により,GaN多孔質電極はプレーナ電極と比べて大きな光電流特性を示した。GaNのバンドギャップより小さな光子エネルギーを持つ照射光に対して,明瞭な光電流特性を観測した。バンド端吸収のレッドシフト量は強い電界依存性を示したことから,得られた光吸収特性には,Franz-Keldysh効果が関与していると考えられる。(著者抄録)
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  光伝導,光起電力 
引用文献 (11件):

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