イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

中込諒; 酒井翔一朗; 藤原幸亮; 有元圭介; 山中淳二; 中川清和; 宇佐美徳隆; 星裕介; 澤野憲太郎

文献

J-GLOBAL ID：201502271988667598 整理番号：15A0507723

イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

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資料名：
巻： 62nd ページ： ROMBUNNO.12P-P17-3 発行年： 2015年02月26日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体薄膜 , 電子ビーム・イオンビームの応用 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価

イオン注入成長法で作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造MOSFETの電気特性評価