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J-GLOBAL ID:201602259105956674   整理番号:16A0785731

PBドープ市販INIに対する最小光学バンドギャップと電気伝導率の影響の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First Principle Study on the Effect of Pb-Doping on Optical Band Gap and Conductivity of Inl
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号: 12  ページ: 1216001-1-1216001-8  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2088A  ISSN: 0253-2239  CODEN: GUXUDC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度汎関数理論に基づく第一原理平面波超ソフト擬ポテンシャル法を用いて,純血漿スーパーセルモデルおよび2つの異なるPB含有量のIN_(1-X)PB_XIX(X=0.125,0.25)スーパセルモデルを確立し,構造最適化後,ドーピング前後の系のバンド構造、状態密度と吸収スペクトルを計算した。幾何学的構造の計算結果がPBドーピング量の増加に伴い,ドープ系の格子定数の変化,体積の減少,エネルギーの低下,構造がより安定していることを示した。電子構造の計算結果はドーピング後,FERMI準位が伝導バンドに入り,ドープ系はいずれも高ドーピングであることを示した。同時に,ドープ系の最小光学バンドギャップは増大し,電子の有効質量が減少し,電気伝導率が増大した。PBドーピングを,光学的性質の計算結果はドーピング後の吸収スペクトルの青方偏移を示した。血漿最小光学バンドギャップを増大させて証明した。得られた結果はドーピング,血漿材料の光電特性を改善するための実験研究に理論的指針を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】
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金属結晶の電子構造  ,  半導体結晶の電子構造 

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