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J-GLOBAL ID：201602272745921554   整理番号：16A0088050

グラフェン/サファイアヘテロ構造における縮約層間距離【Powered by NICT】

Contracted interlayer distance in graphene/sapphire heterostructure

著者 (11件)： Entani Shiro (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Antipina Liubov Yu (Technological Inst. for Superhard and Novel Carbon Materials, Russia, Moscow) ,  Avramov Pavel V (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Ohtomo Manabu (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Matsumoto Yoshihiro (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Hirao Norie (Quantum Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Shimoyama Iwao (Quantum Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Naramoto Hiroshi (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Baba Yuji (Quantum Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Sorokin Pavel B (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki) ,  Sakai Seiji (Advanced Sci. Res. Center, Japan Atomic Energy Agency, Japan, Ibaraki)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 8  号： 5  ページ： 1535-1545  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上のグラフェンの直接成長は,グラフェンベースの電子デバイスおよびスピントロニクスデバイスの性能の大幅な改善をもたらすことが期待されている。本研究で,著者らは原子配列と単層グラフェンとαAl_2O_3(0001)のコヒーレントヘテロ構造の電子的性質を明らかにした。αAl_2O_3(0001)上の単層グラフェンの原子配列の解析はアパレントコントラディクティオンを明らかにした。面内解析は,単層グラフェンは単結晶エピタキシャル的でなく,むしろ多形で成長する,2の強く顕著な優先方位を持つことを示した。これは,相対的に弱い界面相互作用を示唆した。しかし,著者らはグラフェンとαAl_2O_3(0001)の間の異常に強い物理的相互作用が存在し,グラフェン間の間隔が小さいとαAl_2O_3(0001)表面により証拠づけられていることを示した。界面相互作用はグラフェンπ系に関与する静電力とαAl_2O_3(0001)の最上層のO層ではなく,van der Waals相互作用の飽和電子によって支配されることを示した。このような特徴はグラフェンの正孔ドーピングを引き起こし,グラフェンは強い界面相互作用にもかかわらず小さいエネルギー障壁を有するαAl_2O_3(0001)表面を滑ることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： van der Waals力 ,  エピタクシー ,  絶縁材料 ,  *アルミニウム ,  優先配向 ,  コヒーレンス ,  単結晶 ,  層間隔 ,  相互作用 ,  サファイア ,  絶縁体
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  静電気力 ,  界面相互作用 ,  原子配列 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  サファイア ,  ヘテロ構造 ,  縮約 ,  層間距離