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J-GLOBAL ID：201602286991062022   整理番号：16A1114682

芳香族複素環陽イオンが鋳型になったヨウ化スズ(II)の低次元ペロブスカイト構造

Low-Dimensional Tin(II) Iodide Perovskite Structures Templated by an Aromatic Heterocyclic Cation

著者 (7件)： LIU Xunshan (Univ. Bern, Bern, CHE) ,  CHEN Songjie (Univ. Bern, Bern, CHE) ,  HAUSER Juerg (Univ. Bern, Bern, CHE) ,  LAUKHIN Vladimir (CSIC, Catalonia, ESP) ,  DECURTINS Silvio (Univ. Bern, Bern, CHE) ,  ASCHAUER Ulrich (Univ. Bern, Bern, CHE) ,  LIU Shi-Xia (Univ. Bern, Bern, CHE)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 16  号： 9  ページ： 5230-5237  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnI₂/HI/5,6-ジカルボキシベンズイミダゾール(BIM)の水熱反応(100°C)で合成した{(HBIM)₂(SnI₄}}_n(A)およびAの熟成で単離した{(HBIM)₄(SnI₅)(I)₂}_n・n(H₃O)・4n(H₂O)(B)の構造をX線回折法で決定した。AとBでは頂点を共有したSnI₆八面体をベースにした,ペロブスカイト構造が形成されていること,Aでは[SnI₄]_n^2n-シートによる2次元構造が,Bでは[SnI₅]_n^3n-一次元鎖が形成されていること,室温の単結晶Bは電気伝導度(0.5S/cm)の大きい,半導体であることなどが分かった。DFT計算からはAの小さなバンドギャップ(約1eV)と,Bの高い電気伝導性が確かめられた。

シソーラス用語： *ペロブスカイト型結晶 ,  *ヨウ化物 ,  *スズ化合物 ,  *化学合成 ,  *カチオン ,  *複素環化合物 ,  スズ錯体 ,  ヨード錯体 ,  電気伝導率 ,  半導体 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  化学反応 ,  八面体 ,  一次元鎖 ,  二次元構造 ,  水熱反応 ,  *鋳型合成 ,  *配位重合体【樹脂】 ,  *ペロブスカイト型構造
準シソーラス用語： *配位重合体 ,  *ペロブスカイト構造 ,  電気伝導度

分類 (1件)： 非遷移金属元素の錯体の結晶構造  (BK09020M)

物質索引 (1件)： 5,6-ジカルボキシ-1H-ベンゾイミダゾール

タイトルに関連する用語 (7件)： 芳香族複素環 ,  陽イオン ,  鋳型 ,  ヨウ化 ,  スズ ,  低次元 ,  ペロブスカイト構造