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J-GLOBAL ID:201702212109949007   整理番号:17A0407085

VB族元素ドーピングTiO_2ブロッキング層によるペロブスカイト太陽電池の性能向上【Powered by NICT】

Performance enhancement of perovskite solar cells by doping TiO2 blocking layer with group VB elements
著者 (9件):
資料名:
巻: 694  ページ: 1232-1238  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ピンホールと優れた電子伝導率を持つ正孔ブロッキング層は高効率ペロブスカイト太陽電池において重要である。本論文では,TiO_2緻密層中でのタンタル(Ta)またはニオブ(Nb)ドーパントの影響を徹底的に調べた。Ta及びNbドーパントの両方は,それらの光透過率特性を低下させないでTiO_2緻密な膜の電子伝導率を高めることができた。Ta又はNbドープTiO_2ブロッキング層で組み立てられたPSCsは短絡電流密度の明らかな促進を示し,最良のPSCは13.66%(純粋なTiO_2)から変換効率増大を14.41%(TaをドープしたTiO_2)と14.29%(NbドープTiO_2)であった。さらに,PSCの再現性は3%Ta,3%NbドープTiO_2ブロッキング層をもつ好ましい。に加えて,ドープしたTiO_2緻密層の増加した導電率は種々の走査方向の下でPSCのJ-Vヒステリシスを効率よく抑制した。PLとEISの結果は,ドープしたTiO_2緻密層は電子移動速度を加速し,TiO_2/ペロブスカイト界面での再結合確率を減少させることができることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  酸化物薄膜 
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