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J-GLOBAL ID：201702212278073527   整理番号：17A0399746

新規水平Bridgman法とその熱電特性によるSn_0 97Ag_0Mn0.03Seの単結晶成長【Powered by NICT】

Single crystal growth of Sn_0.97Ag_0.03Se by a novel horizontal Bridgman method and its thermoelectric properties

著者 (10件)： Jin Min (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Shao Hezhu (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Hu Haoyang (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Li Debo (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Xu Jingtao (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Liu Guoqiang (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Shen Hui (Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, PR China) ,  Xu Jiayue (Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, PR China) ,  Jiang Haochuan (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China) ,  Jiang Jun (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, PR China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 112-116  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSeベース単結晶は,その優れた熱電挙動のために多くの注目を集めているが,大きなサイズの結晶の作製が困難と思われる,結晶成長中の開裂が非常に容易である。本研究では,Snの3mo1%Ag代用物によるSnSe結晶を作るために用いられた新しい水平Bridgman法。Sn_0 0.97Ag_0 0.03Se原料は原位置水平Bridgman炉中で合成し,結晶により,PBNるつぼで成長させた。B_2O_3封止材を用いてSe揮発を防止した。成長させたままのSn_0 0.97Ag_0 0.03Se結晶は重量で約105gであり,25mm×20mm×15mm単結晶が得られた。理論値に近い6.178g/cm~3の単結晶の密度を測定した。X線粉末回折測定Sn_0 0.97Ag_0 0.03Se単結晶が室温で斜方晶系Pnma構造を有していた。軸に沿って熱電特性を分析し,性能指数,ZT=0.95は主にPnma Cmcm相転移温度近傍での低い熱伝導度のために,793Kで得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スズ ,  熱伝導率 ,  *セレン ,  斜方晶系 ,  *結晶 ,  *単結晶 ,  性能指数 ,  坩堝 ,  *Bridgman法 ,  *結晶成長 ,  転移温度 ,  粉末X線回折 ,  *単結晶成長
準シソーラス用語： *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： B2Sn_0 97Ag_0Mn0.03Se単結晶 ,  A2水平Bridgman法 ,  A1化学量論比 ,  B2熱電特性

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水平Bridgman法 ,  熱電特性 ,  単結晶成長