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J-GLOBAL ID：201702213025147353   整理番号：17A0302150

高速3次元集積回路におけるエアギャップスルーシリコンビアの寄生効果【Powered by NICT】

Parasitic effects of air-gap through-silicon vias in high-speed three-dimensional integrated circuits

著者 (5件)： Liu Xiaoxian (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhu Zhangming (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Yang Yintang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ding Ruixue (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Li Yuejin (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 118401_01-118401_06  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,絶縁層として空気ギャップを利用した接地-信号-接地タイプスルーシリコンビア(TSV)を設計し,解析し,ミリ波への応用のためのシミュレートした。物理的パラメータに基づく小型広帯域等価回路モデルと受動素子(RLGC)パラメータを100GHzまでの周波数を示した。空気ギャップの厚さが0.75μmより大きい場合,TSVの寄生容量は空気ギャップの誘電静電容量として近似できた。,TSVの印加電圧がフラットバンド電圧を達成する必要があるだけであり,はしきい値電圧を示すために必要ではない。これは空気ギャップの小さな誘電率に起因した。提案したモデルは,ADSのシミュレーション結果と広い周波数範囲にわたってAnsoftのHFSSと良い一致を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漂遊容量 ,  磁気ギャップ ,  静電容量 ,  接地 ,  誘電率 ,  EHF波 ,  *高速度 ,  広帯域 ,  *三次元 ,  *シリコン貫通ビア ,  閾値電圧 ,  印加電圧
準シソーラス用語： 受動素子 ,  等価回路モデル ,  *寄生効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 3次元集積回路 ,  スルーシリコンビア ,  空気ギャップ ,  高周波

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3次元 ,  集積回路 ,  寄生効果