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J-GLOBAL ID：201702213472256505   整理番号：17A0206111

回路レベルでの弾道カーボンナノチューブFinFETの性能予測【Powered by NICT】

Performance projections for ballistic carbon nanotube FinFET at circuit level

著者 (6件)： Zhang Panpan (Department of Electronics, Peking University) ,  Qiu Chenguang (Department of Electronics, Peking University) ,  Zhang Zhiyong (Department of Electronics, Peking University) ,  Ding Li (Department of Electronics, Peking University) ,  Chen Bingyan (Department of Electronics, Peking University) ,  Peng Lianmao (Department of Electronics, Peking University)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 6  ページ： 1785-1794  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブのための新しい三次元デバイス構造(CNT)フィン電界効果トランジスタ(FinFET)を提案し,評価した。伝搬遅延,全電力消費,エネルギー遅延積(EDP)を含む三個の履行測定基準を用いた回路レベルでの22nmノードでのSi FinFETと比較してCNT FinFETの可能性を評価した。Si FinFETと比較して,CNT FinFETはほぼはるかに大きい電流密度から生じる速度とEDPの明らかな利点を示したが,高い全消費電力をもたらし,特に低いしきい値電圧(V(Th)=1/3V(DD))であった。V(th)に適した改善は漏れ電流と電力消費の有意な抑制に寄与する効果的に,速度の容認できる犠牲とEDPで得られた明らかな最適化。特に,最適化されたしきい値電圧を持つCNT FinFETは低電源電圧(V(dd)=0.4V)下でのSi FinFET上の約50倍のEDP利点を提供し,CNTのFinFET集積回路のための大きな可能性を示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  漏れ電流 ,  フィン ,  電流密度 ,  最適化 ,  消費電力 ,  三次元 ,  *カーボンナノチューブ ,  素子構造 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  閾値電圧 ,  伝搬遅延 ,  *性能予測 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： カーボンナノチューブ ,  フィン電界効果トランジスタ(FinFET) ,  集積回路 ,  多しきい値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 弾道 ,  カーボンナノチューブ ,  FinFET ,  性能予測