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J-GLOBAL ID：201702214675047543   整理番号：17A0661390

プラズモンカップリングのためのスペーサとしてのリップル構造をもつ多層グラフェン【Powered by NICT】

Multilayer Graphene with a Rippled Structure as a Spacer for Improving Plasmonic Coupling

著者 (10件)： Lee Khang June (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Kim Daewon (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Jang Byung Chul (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Kim Da-Jin (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Park Hamin (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Jung Dae Yool (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Hong Woonggi (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Kim Tae Keun (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Choi Yang-Kyu (School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Choi Sung-Yool (Graphene Research Center School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehakro, Yuseong-gu, Daejeon, 34141, Republic of Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 28  ページ： 5093-5101  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモン結合,金属粒子間の均一で小さな分離を通して起こる増強電磁場は,局在表面プラズモン共鳴に良好な応用に必要である。グラフェンはサブナノスケールでその正確な可制御性のため,良好なスペーサ候補として研究されてきた。,グラフェンスペーサの両側に広がる均一金属ナノ粒子(NP)の間のプラズモン結合の増強を実験的及びsimulatively調べた。,ポスト蒸着平坦構造を一方向に沿って波形のナノ粒子間の分離を減少させることである。リップリングの量が増加する時,プラズモン結合の増強因子(EF)はナノ粒子のサイズに応じて,直線的あるいは二次的にほぼ増加した。このような高度に波形ナノ構造は,スペーサの両側におけるプラズモン結合を増加するだけではないと信じられているが,またスペーサギャップによる「ホットスポット」の高い密度を導いた。MLGスペーサを持つ構造の観察されたEFsは古典的電気力学から得たシミュレーション結果と一致した。一方,SLGのケースは,このような古典的アプローチと一致しない,薄い障壁を通るプラズモントンネルはSLGスペーサの場合に一般的であることを示していると思われる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  シミュレーション ,  可制御性 ,  *スペーサ ,  電磁場 ,  表面増強Raman分光法 ,  ホットスポット ,  蒸着 ,  電気力学 ,  *グラフェン ,  金属ナノ粒子 ,  局在表面プラズモン共鳴 ,  金属粒子 ,  プラズモン結合 ,  *多層グラフェン

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  局在表面プラズモン共鳴(LSPR) ,  プラズモン結合 ,  リップル構造 ,  表面増強Raman分光法(SERS)

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (2件)： スペーサ ,  多層グラフェン