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J-GLOBAL ID:201702214965826929   整理番号:17A0450114

活性Ti中間層を持つSiCセラミック継手の厚さに依存する相変化と結合強度【Powered by NICT】

Thickness-dependent phase evolution and bonding strength of SiC ceramics joints with active Ti interlayer
著者 (15件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 1233-1241  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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SiCセラミックのためのロバストな固相拡散接合技術は,物理気相堆積により形成した厚さのTi中間層を設計し,電場支援焼結技術により接合した。界面反応と相回転プロセスは平衡相図及びTi-Si-C三成分系の濃度依存ポテンシャル図で調べた。興味あることに,同じ接合条件(固定温度とアニーリング時間)下で,Ti中間層の厚さは得られた接合層中のSiとC反応物の濃度と分布を決定し,Ti中間層へのSiおよびCのそれぞれの拡散距離が短い接合プロセス(5分)の間に劇的に分化した。中間層として100nmのTi被覆の場合,接合層中のC濃度は急速に飽和した,これはTiC相とそれに続くTi_3SiC_2相の形成に有利であった。SiCセラミックは1000°Cの低い温度で接合した168.2MPaの曲げ強さ,腐食環境への応用を満足することに成功した。Ti厚みが1μmまで増加した時は,Si原子は,希釈されたTi-C合金(高密度TiC相は形成されなかった)を介して容易に拡散し,Ti_5Si_3脆性相が優先的に形成した。これらの知見は,固相反応での最終組成に及ぼす反応物の拡散速度,特に共有結合SiCセラミックスの接合技術の重要性を強調した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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セラミック・陶磁器の製造 

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