文献

J-GLOBAL ID：201702217264964827   整理番号：17A0302115

半導体2重円柱量子井戸細線における電子状態と電子Raman散乱【Powered by NICT】

Electron states and electron Raman scattering in semiconductor double cylindrical quantum well wire

クリップ

著者 (5件)： Munguiarodriguez M (Departamento de Investigacion en Fisica, Universidad de Sonora) ,  Ri Betancourtriera (Instituto Tecnologico de Hermosillo. Avenida Tecnologico S/N) ,  Re Betancourtriera (Instituto Tecnologico de Hermosillo. Avenida Tecnologico S/N) ,  Riera R (Departamento de Investigacion en Fisica, Universidad de Sonora) ,  Jalil Nieto J M (Tecnologico de Monterrey-Campus Sonora Norte. Bulevar Enrique Mazon Lopez No. 965)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 117302_01-117302_08  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体GaAs/AlGaAs二重量子井戸ワイヤにおける電子Raman散乱の微分断面積を計算し,電子状態の表現を提示した。システムは0Kを考慮し,単一の放物型伝導帯,閉込めが原因となったサブバンド系に分割されるともモデル化した。電子Raman散乱過程のための利得および微分断面積が得られた。添加では,いくつかの散乱配置の発光スペクトルを検討し,スペクトルに見られる特異性の解釈を与えた。ここで研究した電子Raman散乱は,レーザの効率についての直接的情報を提供するために使用できる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  *量子井戸 ,  モデリング ,  ヒ化ガリウム ,  微分断面積 ,  *細線 ,  利得 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  伝導バンド ,  *電子状態 ,  *散乱 ,  *円柱 ,  サブバンド ,  *柱 ,  *構造要素
準シソーラス用語： 特異性 ,  二重量子井戸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子状態 ,  Raman散乱 ,  選択則 ,  量子井戸細線

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 円柱 ,  量子井戸 ,  細線 ,  電子状態 ,  電子Raman散乱