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J-GLOBAL ID：201702218459953951   整理番号：17A0755425

600/450mA/mmの記録的なドレーン電流をもつ絶縁体(GOOI)電界効果トランジスタ上の高性能Depletion/Enhancement常微分方程式β-Ga2O3【Powered by NICT】

High-Performance Depletion/Enhancement-ode $¥beta$ -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm

著者 (6件)： Zhou Hong (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Si Mengwei (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Alghamdi Sami (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Qiu Gang (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Yang Lingming (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Ye Peide D. (Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 103-106  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは600/450mA/mmの高いドレイン電流(I_D)記録に絶縁体(GOOI)電界効果トランジスタ(FET)高速depletion/enhancementモードβ-Ga_2O_3,他の報告されたI_D値よりもほぼ一桁に報告した。しきい値電圧(V_T)はβ-Ga_2O_3膜の厚さを変えることにより調節することができ,EモードGOOI FETはβ-Ga_2O_3膜厚を収縮させることにより簡単に実現できる。β-Ga_2O_3とSiO_2間の良好な界面とワイドバンドギャップβ-Ga_2O_3から恩恵を受けて,無視できる移動特性ヒステリシス,10~10の高いI_Dオン/オフ比,及び300nm SiO_2 140mV/decadeのサブしきい値スイングが観察された。ソースドレイン間隔0.9μmのEモードGOOI FETは,185Vの絶縁破壊電圧と平均電場(E)2MV/cmを示し,将来の電力デバイスのためのGOOI FETの大きな可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  *常微分方程式 ,  膜厚 ,  *電流 ,  界面 ,  *絶縁体 ,  高速度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電場 ,  絶縁破壊電圧 ,  ワイドバンドギャップ ,  閾値電圧
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  サブ閾値スイング ,  ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドレーン ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  高性能 ,  常微分方程式 ,  β-Ga2O3