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J-GLOBAL ID:201702218791430057   整理番号:17A0665228

エーロゾル支援CVDで作製したSiドープZnOの透明導電性酸化物薄膜【Powered by NICT】

Transparent conducting oxide thin films of Si-doped ZnO prepared by aerosol assisted CVD
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 18  ページ: 10806-10814  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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初めて,エアロゾル支援化学蒸着(AACVD)を使用して,ガラス上のSiドープZnO薄膜を堆積した。蒸着は450~°Cの温度で行った。前駆体溶液は酢酸を少量添加したメタノール中で空気中で安定な化合物アセチルアセトナート亜鉛とテトラエチルオルトシリケートを溶解溶解度を支援することによって作製した。前駆体溶液中のドーパント濃度は最良の光電特性を見出すために最適化した。ZnO格子へのSiの添加は,X線回折(XRD)データから計算した単位セル体積とX線光電子分光法(XPS)により確認した。膜は純相ウルツ鉱型ZnOから成り,(002)面に優先配向した。走査電子顕微鏡(SEM)を用いて膜の表面形態を調べることであった。膜の光学的性質をUV/vis分光法を用いて分析し,スペクトルの可視部(400 700 nm)での平均透過率は72%と80%の間で変化したことを示した。膜の電気的性質を,van der Pauw法を用いてH all効果測定から得られた。膜へのSiの導入は前駆体溶液中4mo1%Si:Zn比から堆積した膜に対して2.0×10~ 2Ωcmの最小値まで抵抗率の減少をもたらした。導電膜は非導電性アンドープZnO膜で有意に改善した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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