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J-GLOBAL ID：201702221156660710   整理番号：17A0657956

高分子半導体の温度依存ナノ構造と電気伝導の組合せ研究:偶数二峰性配向3次元電荷輸送を促進することができる【Powered by NICT】

Combinatorial Study of Temperature-Dependent Nanostructure and Electrical Conduction of Polymer Semiconductors: Even Bimodal Orientation Can Enhance 3D Charge Transport

著者 (12件)： Park Sangsik (Department of Organic Materials and Fiber Engineering, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Lee Moo Hyung (Department of Chemical Engineering, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Ahn Kwang Seok (Department of Physics, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Choi Hyun Ho (Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Korea) ,  Shin Jihye (Department of Chemical Engineering, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Xu Jie (Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, 94305-5025, USA) ,  Mei Jianguo (Department of Chemistry, Purdue University, West Lafayette, IN, 47907, USA) ,  Cho Kilwon (Department of Chemical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 790-784, Korea) ,  Bao Zhenan (Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, 94305-5025, USA) ,  Lee Dong Ryeol (Department of Physics, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Kang Moon Sung (Department of Chemical Engineering, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea) ,  Kim Do Hwan (Department of Organic Materials and Fiber Engineering, Soongsil University, Seoul, 156-743, Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 26  ページ： 4627-4634  発行年： 2016年07月12日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子半導体薄膜における温度に依存した(80 350 K)電荷輸送は等価温度でその場X線構造特性化と平行して研究した。研究は,種々の側鎖を持つ同じπ共役骨格を含むイソインジゴ系高分子の対に実施した:1シロキサン末端側鎖(PII2T Si)および他の分枝アルキル末端側鎖(PII2T Ref)であった。側鎖に異なる化学的部分は完全に異なる膜モルフォロジーをもたらした。PII2T Si膜は真横向き及び正面向きの両方向(二峰性配向)のドメインを示すPII2T Ref膜は,エッジオン配向(単一モード方向)のドメインを示した。対重合体の電気輸送特性もは明確に区別でき,特に高温(>230 K)であった。PII2T Ref膜のそれと比較した場合,移動度温度Arrhenius関係のより小さな活性化エネルギー(E)およびより大きな前指数因子(μ_0)はPII2T Si膜が得られた。結果はより効果的な輸送経路は他よりもPII2T Si膜に形成された二峰性配向膜構造にもかかわらずであることを示した。π-π充填距離,分子秩序の長いコヒーレンス長,PII2T Si膜の輸送エネルギー状態のより小さな障害は共役分子の配向の両方にエッジオンと面を持つ光学系をより効果的に発生する伝導を支援になる。高分子半導体における伝導の3次元性質を想起,著者らの結果は,先進ポリマ半導体のための工学的規則は,真横向き配向のみで共役骨格をもつ膜を得ることに焦点を当てた単純べきではないことを示唆した。代わりに,工学は,高分子薄膜からの効果的な輸送を達成するために避けられない沖方向性輸送過程の寄与に遭遇するべきである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  エレクトロトランスポート ,  *電気伝導 ,  高分子薄膜 ,  *高分子半導体 ,  共役 ,  側鎖 ,  モルフォロジー ,  半導体薄膜 ,  *温度依存性 ,  *三次元 ,  キャラクタリゼーション ,  *ナノ構造 ,  π共役 ,  *電荷輸送

著者キーワード (5件)： 3D伝導 ,  二峰性配向 ,  イソインジゴ系高分子半導体 ,  温度依存電荷輸送 ,  in situすれすれ入射X線回折の温度依存性

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (11件)： 高分子半導体 ,  温度依存 ,  ナノ構造 ,  電気伝導 ,  組合せ ,  研究 ,  偶数 ,  配向 ,  3次元 ,  電荷輸送 ,  促進