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J-GLOBAL ID：201702223218986884   整理番号：17A0085360

nMOS In_0.53Ga_0.47Asのゲート金属としての多層TiNi合金の研究

Investigation of Multilayer TiNi Alloys as the Gate Metal for nMOS In_0.53Ga_0.47As

著者 (7件)： Do Huy Binh (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Luc Quang Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Ha Minh Thien Huu (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Huynh Sa Hoang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Hu Chenming Calvin (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Lin Yueh Chin (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Edward Yi (Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronics Engineering, International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 12  ページ： 4714-4719  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSデバイスの低消費電力を達成するためには,ゲート金属は,チャンネル物質のバンドエッジに整列した実効仕事関数(EWF)と,また,小さな仕事関数変化(WFV)を持たねばならない。本論文では,多層TiNi合金を,HfO₂/In_0.53Ga_0.47As金属酸化膜半導体(MOS)デバイスのゲート金属として適用することに成功した。TiNi合金のEWFは,Ni原子のTi層への拡散により,堆積したままの試料の4.41eVからアニール後の4.62eVまで増加することが分かった。多層TiNi合金は,600°Cでアニールされるまで,小さなWFVを持つアモルファス相にとどまる。TiNi合金は,Ni原子のHfO₂膜への拡散と更なるTiとHfO₂の反応をTiO_xNi界面層が防ぐために,TiやNiに比べて熱的により安定である。この結果は,InGaAs nMOSデバイスの製造に応用できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *仕事関数 ,  *ゲート【半導体】 ,  *金属材料 ,  消費電力 ,  *NMOS構造 ,  CMOS ,  *多層構造 ,  *チタン合金 ,  *ニッケル合金 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  バンド構造 ,  酸化ハフニウム ,  非晶質 ,  チタン化合物 ,  酸化物 ,  ニッケル化合物 ,  境界層 ,  熱安定化 ,  界面層 ,  バンド端 ,  層
準シソーラス用語： 有効仕事関数 ,  *ゲート金属 ,  低電力 ,  バンドエッジ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： NMOS ,  ゲート ,  多層 ,  TiNi合金 ,  研究