文献
J-GLOBAL ID:201702226465592491   整理番号:17A0352473

シリコンウエハの表面不動態化に及ぼすPECVD SiN_x/SiO_yN_x Si界面特性の影響【Powered by NICT】

Effect of PECVD SiN_x/SiO_yN_x-Si interface property on surface passivation of silicon wafer
著者 (5件):
資料名:
巻: 25  号: 12  ページ: 127301-1-127301-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
は本論文で研究したSiO_yN_x/SiN_xスタックとシリコンウエハ間の界面の電気的特性はシリコン表面不動態化に影響を及ぼすことである。界面パラメータに及ぼすSiO_yN_x層の前駆体流量比と蒸着温度,界面状態密度D(it)と固定電荷Q_fのようなシリコンの表面不動態化品質の影響が観察された。容量-電圧測定から,SiN_xとシリコンウエハの間に薄いSiO_yN_x層を挿入する界面での膜におけるQ_fとD-()を抑制することができることを明らかにした。正Q_fとD-()とスタックにおける高表面再結合速度はSiO_yN_x膜増加で導入された酸素と最小水素と共に増えることが認められた。低温度での蒸着とN_2O/SiH_4流量の低い比率で調製した,SiO_yN_x/SiN_xスタックをp型1cm( 5)cm FZシリコンウエハ上に6cm/sの低い有効表面再結合速度(S(eff))をもたらした。S(eff)とD(it)の間の正の関係は固定電荷による電界効果不動態化もそれに寄与しているが界面欠陥の飽和が主要な不動態化機構であることを示唆している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る