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J-GLOBAL ID：201702226465592491   整理番号：17A0352473

シリコンウエハの表面不動態化に及ぼすPECVD SiN_x/SiO_yN_x Si界面特性の影響【Powered by NICT】

Effect of PECVD SiN_x/SiO_yN_x-Si interface property on surface passivation of silicon wafer

著者 (5件)： Jia Xiaojie (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhou Chunlan (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Junjie (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology) ,  Zhou Su (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Wenjing (Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, University of Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 127301-1-127301-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は本論文で研究したSiO_yN_x/SiN_xスタックとシリコンウエハ間の界面の電気的特性はシリコン表面不動態化に影響を及ぼすことである。界面パラメータに及ぼすSiO_yN_x層の前駆体流量比と蒸着温度,界面状態密度D(it)と固定電荷Q_fのようなシリコンの表面不動態化品質の影響が観察された。容量-電圧測定から,SiN_xとシリコンウエハの間に薄いSiO_yN_x層を挿入する界面での膜におけるQ_fとD-()を抑制することができることを明らかにした。正Q_fとD-()とスタックにおける高表面再結合速度はSiO_yN_x膜増加で導入された酸素と最小水素と共に増えることが認められた。低温度での蒸着とN_2O/SiH_4流量の低い比率で調製した,SiO_yN_x/SiN_xスタックをp型1cm( 5)cm FZシリコンウエハ上に6cm/sの低い有効表面再結合速度(S(eff))をもたらした。S(eff)とD(it)の間の正の関係は固定電荷による電界効果不動態化もそれに寄与しているが界面欠陥の飽和が主要な不動態化機構であることを示唆している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *不動態化 ,  低温 ,  *プラズマCVD ,  電圧測定 ,  *ケイ素 ,  太陽電池 ,  *界面 ,  酸素
準シソーラス用語： 表面再結合速度 ,  固定電荷 ,  界面状態密度 ,  蒸着温度 ,  *界面特性 ,  *表面不動態化 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 太陽電池 ,  界面 ,  不動態化

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンウエハ ,  表面不動態化 ,  PECVD ,  Si ,  界面特性