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J-GLOBAL ID:201702228776894360   整理番号:17A0475827

色素増感太陽電池における三ヨウ化物還元のための金属を含まないされた穴のあるグラフェンにおけるトポロジー的欠陥とドーパントへの洞察【Powered by NICT】

Insight into the topological defects and dopants in metal-free holey graphene for triiodide reduction in dye-sensitized solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 12  ページ: 5952-5960  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高活性かつ安定な対向電極(CE)を色素増感太陽電池(DSSC)の実用化に向けての持続的な課題となっている。された穴のあるグラフェンの露出エッジサイトでN_2プラズマ処理を用いた合理的に窒素ドープの孔あきグラフェン(NHG)を作製するために,エッジ強調修飾を示した。合成NHGは大きな表面積を持つ高導電性とユニークな中空足場,豊富な誘起されるトポロジー的欠陥と窒素ドーパントを示した。このようなユニークな特徴を生かしてNHGはI~-/I_3~ 酸化還元反応のための優れた電極触媒活性と高い電気化学的安定性を示した。さらに,密度汎関数理論計算は,この有望な性能の背後にある機構をさらに解明するため,特ににおいて縁に誘起されるトポロジー的欠陥の影響を行った。NHG CEに基づくDSSCは9.07%の電力変換効率,Pt(8.19%)のそれよりも優れているであることを示した。これらの結果は,I-複合レドックス対を用いた色素増感太陽電池のための低コストおよび金属を含まないNHG材料の大規模製造の可能性を強く示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  電気化学反応 

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