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J-GLOBAL ID：201702229521240966   整理番号：17A0402984

スピントロニクス応用のための非対称水素終端ジグザグゲルマンナノリボンの展望【Powered by NICT】

Prospects of asymmetrically H-terminated zigzag germanene nanoribbons for spintronic application

著者 (3件)： Sharma Varun (Nanomaterials Research Group, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management (IIITM), Gwalior 474015, India) ,  Srivastava Pankaj (Nanomaterials Research Group, ABV-Indian Institute of Information Technology and Management (IIITM), Gwalior 474015, India) ,  Jaiswal Neeraj K. (Discipline of Physics, Indian Institute of Information Technology, Design & Manufacturing, Jabalpur, Dumna Airport Road, Jabalpur 482005, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1352-1359  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称水素終端ジグザグゲルマネンナノリボン(2HH ZGeNR)のスピンベースの電子および輸送特性を調査するために行った第一原理研究。著しい生成エネルギー差(ΔE_F=E_F(2H H)-E_F(H H)~ 0.49eV)を明らかにし,対称エッジ終端と比較して非対称エッジ終端のためのより高エネルギーの安定性を強調し,リボン幅に無関係であった。さらに,磁気モーメント解析と全エネルギー計算は,これらの構造が優先強磁性(FM)結合を有する磁気基底状態を持つことを明らかにした。計算E k構造はH終端ZGeNRとは対照的である2hh ZGeNRのユニークなバイポーラ半導体挙動を予測した。半金属変換もこれらの構造に適したp型またはn型ドーピングにより明らかにした。最後に,輸送計算はドープした2hh ZGeNRのI-V特性における下向きスピン(スピンアップ)電子の選択的寄与を強調するために,実行,スピントロニクス素子への応用のためのそれらの活力を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー計算 ,  半金属 ,  *対称性 ,  強磁性 ,  ドーピング ,  *スピントロニクス ,  第一原理 ,  電流電圧特性 ,  磁気モーメント ,  *非対称性
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  スピンアップ ,  磁気基底状態 ,  形成エネルギー ,  *水素終端 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ジグザグゲルマネンナノリボン ,  バンド構造 ,  磁気モーメント ,  半金属 ,  I-V特性

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピントロニクス ,  応用 ,  非対称 ,  水素終端 ,  展望