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J-GLOBAL ID：201702230812019214   整理番号：17A0214252

分離したバルクフィン上の完全に金属ソースとドレイン形成により可能になった超低寄生抵抗とFOI FinFET【Powered by NICT】

FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin

著者 (27件)： Zhang Qingzhu (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Yin Huaxiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Luo Jun (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Yang Hong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Meng Lingkuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Li Yudong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Wu Zhenhua (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Zhang Yanbo (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Zhang Yongkui (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Qin Changliang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Li Junjie (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Gao Jianfeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Wang Guilei (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Xiong Wenjuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Xiang Jinjuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Zhou Zhangyu (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Mao Shujian (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Xu Gaobo (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Liu Jinbiao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Qu Yang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Yang Tao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Li Junfeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Xu Qiuxia (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Yan Jiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Zhu Huilong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (IMECAS), Beijing, 100029, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 17.3.1-17.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大寄生抵抗はFinFETとナノワイヤのデバイスの作動状態電流(I_ON)への重要な制限因子となっている。完全金属ソースとドレイン(MSD)プロセスは,最も有望な解決策の1つであるが,それはしばしばバルクFETにおける不耐性接合リークに悩まされている。本論文では,完全フィン上の絶縁体(FOI)FinFETにMSDプロセスを初めて広範囲に研究した。物理的に隔離したフィン上のNi(Pt)ケイ化物を完全に形成することにより,接触抵抗率(R_cs)とシート抵抗(R_ss)の55%減少で約90%の減少が明らかな接合漏れ電流劣化なしに達成された。結果として,20nmのゲート長(L_g)トランジスタのイオンは30倍に増加し,PMOSのためのNMOSと324μA/μmの547μA/μmまでであった。従来のバルクFinFETの対応物を上回る47%DIBL(ドレイン誘起障壁低下),32%SSと2.5%デバイス漏れ減少とSCEとチャネル漏洩の優れた対照も得られた。一方,完全にMSDプロセスは,狭いフィンチャンネルへの明確な引張応力を誘起し,NMOSにおける増大した電子移動度をもたらした。Schottky障壁ソースとドレイン(SBSD)技術を用いてPMOS駆動能力(486μA/μm)の更なる改善も検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 引張応力 ,  NMOS構造 ,  *フィン ,  シート抵抗 ,  ナノワイヤ ,  Schottky障壁 ,  絶縁材料 ,  漏れ電流 ,  ケイ化物 ,  絶縁体 ,  電子移動度 ,  PMOS構造 ,  ドレイン誘起障壁低下効果
準シソーラス用語： DIBL ,  ゲート長 ,  *FinFET ,  *寄生抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (9件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  表示機器  (NC06030Q) ,  外科設備・装置  (GC07020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  フィン ,  ソース ,  ドレイン ,  寄生抵抗 ,  FinFET