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J-GLOBAL ID：201702232534360218   整理番号：17A0403957

粒界応答によるCaCu_3Zn_Ti_4O_12セラミックの顕著に改良された非Ohmおよび巨大誘電特性【Powered by NICT】

Significantly improved non-Ohmic and giant dielectric properties of CaCu_3- Zn Ti₄O₁₂ ceramics by enhancing grain boundary response

著者 (4件)： Boonlakhorn Jakkree (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand) ,  Kidkhunthod Pinit (Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), 111 University Avenue, Muang District, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand) ,  Putasaeng Bundit (National Metal and Materials Technology Center (MTEC), Thailand Science Park, Pathumthani 12120, Thailand) ,  Thongbai Prasit (Integrated Nanotechnology Research Center (INRC), Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 2  ページ： 2705-2711  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaCu_3Ti_4O_12セラミックの高い誘電率は,その電子デバイスへの応用可能性のために近年大きな注目を集めている。しかし,それらの誘電損失正接はまだは大きすぎる。を改良ゾル-ゲル法を用いて作製したZnドープCaCu_3Ti_4O_12(x=0 0.10)セラミックスにおける高誘電率を保持した大きく減少した損失正接を達成する報告する。微細構造,巨大誘電応答,および非オーミック特性だけでなく,結晶粒および結晶粒界の電気的性質に及ぼす微視的効果に及ぼすZn~2+ドーピングの影響を系統的に調べた。誘電特性に加えて,それらの非Ohm特性は著しく改善された。1kHzで極損失正接(tanδ 0.016 0.017)と高い誘電率(ε′6500 7700)は0.05 0.10とCaCu_3Zn_Ti_4O_12セラミックで達成することに成功した。Zn~2+イオンの置換Cu~2+サイトへの全抵抗,粒界抵抗により支配されたの増加を引き起こした。CaCu_3Ti_4O_12セラミックスのポテンシャル障壁高さはZn~2+ドーパントイオンにより有意に増加した。還元された見かけのtanδと改良された非線形電気的性質は一次Zn~2+ドーピングの結果としての改質粒界応答に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *セラミック ,  結晶粒 ,  誘電損失 ,  損失正接 ,  *誘電性 ,  電気的性質 ,  ゾル-ゲル法 ,  誘電率 ,  ポテンシャル障壁 ,  ドーピング ,  *結晶粒界
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  高誘電率 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CaCu_3Ti_4O_12 ,  インピーダンス分光法 ,  電気的性質 ,  損失正接 ,  誘電体誘電率

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 粒界 ,  応答 ,  セラミック ,  誘電特性