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J-GLOBAL ID:201702233293572295   整理番号:17A0444007

高速C~,O-~-,F~ イオンの動力学的共鳴電荷移動と水で被覆されたSi(111)表面【Powered by NICT】

Dynamical resonant charge transfer of fast C-, O-, F- ions and water covered Si(111) surface
著者 (10件):
資料名:
巻: 137  ページ: 23-30  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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水被覆されたSi(111)表面上の散乱6.5 22.5keVC~-,O~およびF~ イオンの実験を行った。正イオン分率は非常に低く,垂直出口速度と出口角の関数として単調に増加することが分かった。特に,負イオン分率は鏡面散乱のための垂直出口速度とともに単調に増加し,与えられた入射エネルギーの分率の角度依存性は単調でない。非弾性二体衝突の点で観察された正イオンを解釈し,ベル型負イオン分率を計算するために,修正共鳴電荷移動モデルを採用した。短いイオン-表面距離での中性収率は非ゼロであり,指数関数的依存性を良く従うことを見出した。負イオン形成のための動的平衡は短い距離で達成されないと,電荷移動に及ぼすバンドギャップ効果はこの比較的高エネルギー領域における大幅に無視できることを強く示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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Auger電子放出,二次電子放出  ,  イオンとの相互作用 

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