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J-GLOBAL ID:201702234072381784   整理番号:17A0364524

N LiInO_2の可視光活性:格子間窒素ドーピングによるバンド構造の変化【Powered by NICT】

Visible-light activity of N-LiInO2: Band structure modifications through interstitial nitrogen doping
著者 (7件):
資料名:
巻: 391  号: PB  ページ: 645-653  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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元素ドーピングは広いバンドギャップを持つ半導体光触媒の光応答と光触媒活性を改善するための有望な戦略である。新規光触媒として考えられているLiInO_2のバンドギャップを低減するために,窒素ドープLiInO_2(N LiInO_2)は200°CでLiInO_2と尿素を処理することによって成功裏に調製する。置換型配置の代わりに格子間原子は低処理温度と豊富な酸素条件によるN LiInO_2の結晶構造で形成されることが分かった。格子間Nドーピングは伝導帯最小の下0.1eVの価電子バンド最大値と欠陥状態の上0.6eVのドーピング状態を形成し,LiInO_2のバンドギャップを低減することから3.5~2.8eVであった。N LiInO_2は380nm光照射下でのメチレンブルー(MB)分解に対してより高い光触媒活性は,純粋なLiInO_2の1.4倍を示した。N LiInO_2の増強された光触媒活性は拡張された光吸収と改善された電荷キャリア分離,photcatalyticプロセスに関与するより反応性の種をもたらすに起因していた。本研究では,Nドーピング戦略による半導体光触媒のバンド構造を調整することに関する更なる理解を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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