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J-GLOBAL ID：201702235630558900   整理番号：17A0367606

中性クラスタビーム蒸着法によるペンタセンとペリレンを用いた有機デバイス【Powered by NICT】

Organic devices based on pentacene and perylene by the neutral cluster beam deposition method

著者 (4件)： Oh Jeong-Do (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-Gu, Seoul 02841, Korea, Korea) ,  Shin Eun-Sol (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-Gu, Seoul 02841, Korea, Korea) ,  Kim Dae-Kyu (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-Gu, Seoul 02841, Korea, Korea) ,  Choi Jong-Ho (Department of Chemistry, Research Institute for Natural Sciences, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-Gu, Seoul 02841, Korea, Korea)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 220  ページ： 421-427  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,p型ペンタセン及びn 型Nに基づいて,N ′ -ジオクチル-ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸ジイミド(PTCDI-C8)有機電界効果トランジスタ(OFET)とトップコンタクトデバイス配置の二入力相補的NAND論理ゲートを作製し,特性化した。有機活性層が中性クラスタビーム蒸着(NCBD)法によるヒドロキシル基を含まないポリメタクリル酸メチル(PMMA)-修飾インジウムすず酸化物(ITO)ガラスゲート基板上に堆積した。PMMA基板上の有機半導体活性層の形態および構造特性を,原子間力顕微鏡,X線回折および接触角測定を用いて調べた。PMMA誘電修飾ITOゲート基板上での高品質,密に充填された結晶膜の成長に基づいて,p型およびn型トランジスタは空気中でカプセル封じなしに,それぞれ,0.247と7.23×10~ 2cm~/Vsの正孔及び電子移動度を示した。トラップ密度と活性化エネルギーも初めて温度範囲20~300Kにおける移動度の温度依存性に関する輸送特性から導出した。デバイス中の良くバランスのとれたp型およびn型OFETのために,相補型金属酸化膜半導体(CMOS)NAND論理回路は高い電圧利得とわずかなヒステリシスをもつ大きな雑音余裕を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリメタクリル酸メチル ,  正孔 ,  キャラクタリゼーション ,  ヒステリシス ,  原子間力顕微鏡 ,  活性層 ,  移動度 ,  酸化スズ ,  X線回折 ,  *クラスタビーム ,  温度依存性 ,  有機半導体 ,  電子移動度 ,  芳香族縮合炭化水素 ,  ポリアセン

著者キーワード (4件)： ペンタセン ,  有機電界効果トランジスタ(OFET) ,  CMOS NAND論理ゲート ,  中性クラスタビーム蒸着(NCBD)法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペリレン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性クラスタ ,  ビーム ,  蒸着 ,  ペンタセン ,  ペリレン ,  有機デバイス