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J-GLOBAL ID:201702235811241382   整理番号:17A0703516

固体ハイブリッド太陽電池,量子ドットサイズの効果と熱アニーリングにおけるチオ酸キャップ量子ドットの直接集合【Powered by NICT】

Direct assembly of thioacid capped quantum dots in solid-state hybrid photovoltaics, effect of QDs size and thermal annealing
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巻:号: 22  ページ: 13543-13551  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ハイブリッド太陽電池を作製するためのコロイド量子ドット薄膜の堆積は,量子ドット(QD)表面配位子の性質に強く依存した。製造コストを低減し,配位子交換として追加ステップを除去するために,水溶性量子ドット(WSQDs)を固相ハイブリッド太陽電池における直接組織化したことができる。本論文では,電子輸送材料(ETM)とスピロ-OMeTADとしてメルカプトこはく酸(MSA)キャップしたCdSe QD活性層,ルチルTiO_2ナノロッド(NR)正孔輸送材料(HTM)として溶液処理した量子ドット太陽電池(QDSC)の合成とキャラクタリゼーションについて述べた。WSQDsの狭いサイズ分布と表面配位が素子の性能に及ぼす重要で,3.5nm CdSe QD最良の電力変換効率(PCE)が得られた。190°CでCdSe QD層のアニーリングとスピロ-OMeTADの室温浸透活性層,V_oc,J_sc,PCE同時に増加した。適切なアニーリングは,QDサイズを増加させ,水結合と過剰配位子を除去し,活性層を通したQD充填と良好な電子輸送に寄与した。HTM浸透後に観察されV_ocの改善,4-tert-ブチルピリジンにより誘起されたギャップ内トラップ状態の表面不動態化とQDの弱いp型ドーピングに帰することができる,Kelvinプローブ測定によって証明された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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