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J-GLOBAL ID：201702236864864430   整理番号：17A0750109

SiO_yN_x/SiN_xスタック:高効率と電位分解耐性mcシリコン太陽電池のための有望な表面不動態化層【Powered by NICT】

SiO_yN_x/SiN_x stack: a promising surface passivation layer for high-efficiency and potential-induced degradation resistant mc-silicon solar cells

著者 (9件)： Zhou Chunlan (The Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical, Engineering, Chinese Academy of Science, Beijing, China) ,  Zhu Junjie (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology, Instituttveien 18, 2007, Kjeller, Norway) ,  Zhou Su (The Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical, Engineering, Chinese Academy of Science, Beijing, China) ,  Tang Yehua (Eoplly New Energy Technology Co., Ltd, Nantong, 226000, China) ,  Foss Sean E. (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology, Instituttveien 18, 2007, Kjeller, Norway) ,  Haug Halvard (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology, Instituttveien 18, 2007, Kjeller, Norway) ,  Nordseth Ornulf (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology, Instituttveien 18, 2007, Kjeller, Norway) ,  Marstein Erik S. (Solar Energy Department, Institute for Energy Technology, Instituttveien 18, 2007, Kjeller, Norway) ,  Wang Wenjing (The Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical, Engineering, Chinese Academy of Science, Beijing, China)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 1  ページ： 23-32  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電位誘起劣化(PID)の表面不動態化と太陽電池の抵抗を改善するために,薄いSiO_yN_x膜は,c-Si太陽電池に使用される従来のSiN_x反射防止被覆以下で挿入した。材料性質に及ぼすN_2OとSiH_4前駆体の流量比とSiO_yN_x薄膜の蒸着温度を変化させることの効果を系統的に調べた。FZ p型研磨したシリコンウエハ上で得られ,130°Cの非常に低い温度で堆積したSiO_yN_x膜で最良の結果が得られたと光学屈折率1.8であった優れた表面不動態化。SiO_yN_x/SiN_xスタック構造では,約6nmの厚さのSiO_yN_x膜は有効表面再結合速度S_eff<2cm/sの優れた表面不動態化を提供するために十分であった。さらに,表面不動態化と反射防止膜としての多結晶Si太陽電池の最適化SiO_yN_x/SiN_xスタックを適用し,従来のSiN_x被覆をもつ参照電池のそれと比べて0.5%の絶対平均変換効率利得が得られた。SiO_yN_x/SiN_xスタック層を持つ電池は,PIDに対する抵抗性の有意な増加を示した。シャント抵抗におけるほぼ零種の分解は,PID試験で24時間後に得られた,一方,単一SiN_x被覆シリコン太陽電池は24時間後にほぼ50%の分解を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリシリコン ,  薄膜 ,  利得 ,  屈折率 ,  *太陽電池 ,  最適化 ,  *電位 ,  前駆体 ,  被覆 ,  反射防止膜 ,  *電池
準シソーラス用語： 変換効率 ,  シリコンウエハ ,  *表面不動態化 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiOyNx/SiNxスタック ,  シリコン太陽電池 ,  表面不動態化 ,  高効率 ,  ポテンシャル誘起劣化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： スタック ,  高効率 ,  電位 ,  分解 ,  耐性 ,  MC ,  シリコン太陽電池 ,  表面不動態化