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J-GLOBAL ID：201702238728707981   整理番号：17A0697155

スパッタリング法によるSi上に成長させたSiCの結晶性制御【Powered by NICT】

Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method

著者 (4件)： Watanabe Ryosuke (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Tsukamoto Takahiro (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kamisako Koichi (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Suda Yoshiyuki (Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 67-71  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC/Siデバイスとして使用するための我々のスパッタリング法によるp型4°軸外れSi(111)(p Si)基板上に成長させたn型SiC(n SiC)層の結晶化度を制御する方法を検討した。810°Cでp-Si上に成長させたn-SiC層は柱状3C-SiC(111)結晶成長を示した。しかし,n SiC/p Si界面近傍で多くの欠陥を含んでいた。は,10nm厚の非ドープSiC(i SiC)の中間層は,810°Cでn-SiC層の成長,SiC/p Si界面での欠陥の数とn-SiCの結晶度の強い増加の減少をもたらす前に640°Cの低温で成長させた,中間層を持たない810°Cで成長させたn-SiCのそれと比較して,おそらく有効中間層再構成とn-SiC成長中のi SiC中間層自体の結晶性の増強を介して方法を提案した。,n SiC/i SiC interlayer/p Si構造は,Siベースの太陽電池として適用し,n SiC/p Si太陽電池のエネルギー変換効率はSiC中間層の挿入により効果的に増加させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再構成 ,  *ケイ素 ,  *スパッタリング ,  太陽電池 ,  結晶成長 ,  界面 ,  *炭化ケイ素 ,  エネルギー変換効率 ,  低温 ,  *結晶度 ,  ドーピング ,  中間層

著者キーワード (4件)： A3物理蒸着過程 ,  B2半導性けい素化合物 ,  B3ヘテロ接合半導体素子 ,  B3太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  Si ,  成長 ,  SiC ,  結晶性