文献

J-GLOBAL ID：201702240613926485   整理番号：17A0403130

ZnOナノワイヤからの熱増強された電界放出ダイオードフラットパネルX線源中の欠陥と応用の役割【Powered by NICT】

Thermo-enhanced field emission from ZnO nanowires: Role of defects and application in a diode flat panel X-ray source

著者 (9件)： Zhang Zhipeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Daokun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Wenqing (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Yicong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Song Xiaomeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zhan Runze (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, The School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 399  ページ： 337-345  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱増高した電界放出現象はZnOナノワイヤから観察された。電界放出電流は一定印加電場下でほぼ二桁増加し,温度が323から723Kに増加したとき,ターンオン電界は6.04MV/mから5.0MV/mに減少した。高電界下の伝導帯への欠陥に誘起された捕獲中心からのPoole-Frenkel電子励起は観察された現象の主要な原因であると信じられている。実験結果は,提案した物理的モデルに良く適合した。異なる欠陥濃度をもつZnOナノワイヤからの電界放出は,欠陥の役割を確認した。熱増高した電界放出現象を用いて,ダイオードフラットパネルX線源を実証した,エネルギーと線量を別々に調整することができた。ZnOナノワイヤから観測された熱増高した電界放出現象は,大面積フラットパネル多重エネルギーX線源を実現する有効な方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線量 ,  電場 ,  温度依存性 ,  伝導バンド ,  *電界放出 ,  多重化 ,  捕獲中心 ,  *X線源 ,  電子励起 ,  電流 ,  大面積 ,  高電場 ,  ターンオン電界 ,  印加電圧 ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ

著者キーワード (6件)： ZnOナノワイヤ ,  電界放出 ,  温度依存性 ,  欠陥支援放出 ,  Poole-Frenkel効果 ,  X線源

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： ZnOナノワイヤ ,  増強 ,  電界放出 ,  ダイオード ,  フラットパネル ,  X線源 ,  欠陥 ,  応用 ,  役割