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J-GLOBAL ID:201702243102674113   整理番号:17A0073829

腫欠陥のレーザ損傷に関する研究の進展【JST・京大機械翻訳】

Research progress of laser-induced damage of nodular defects
著者 (8件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 090201_01-090201_18  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2482A  ISSN: 1001-4322  CODEN: QYLIEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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最近薄膜の欠陥は,薄膜のレーザ損傷を引き起こす主要因である。レーザ薄膜の損傷閾値を向上させるために,腫の欠陥と損傷特性を研究することは重要である。「真の」の欠陥と「人工」の欠陥の二つの面から、腫の欠陥に関する研究の進展を紹介した。「の欠陥特性の研究に基づき,腫の欠陥特性と損傷機構の予備的認識を確立し,時間領域有限差分法(FDTD)を用いて,電界増強をシミュレーションし,腫の欠陥機構を説明した。腫の欠陥源を抑制する方法とレーザー前処理技術を発明し、腫の欠陥を減少させ、薄膜の損傷閾値を向上させた。しかし、「真」」の欠陥の性質は、種子源のサイズ、吸収性及び位置の深さなど、制御と予測が難しく、腫の欠陥損傷特性を系統的に定量化することが難しく、腫の欠陥損傷に関する科学的認識が不足している。「人工」」の欠陥の研究に基づき、腫の欠陥損傷特性のシステム、数量化、単一因子研究を実現でき、実験研究の効率と信頼性を大幅に向上させ、一連の定量的損傷法則を獲得した。実験結果と理論的シミュレーションの間の信頼性を比較することによって,「人工」」の欠陥の高さは,有限要素法(FDTD)によってシミュレーションした電界の正確さを検証することができた。さらに,電場の増強が腫の欠陥を誘発する主な機構であることを明らかにした。腫欠陥の損傷メカニズムに対して、より深い認識を行った後、人々は腫の欠陥の電界増強効果を制御し、腫欠陥の損傷閾値を向上させ、広い角度反射薄膜技術と腫欠陥平坦化技術を発展させ、電界増強を抑制し、損傷閾値を向上させた。これは,腫の欠陥を制御するための考え方と方法を拡張し,従来の単一欠陥から欠陥を除去することにより,膜の損傷閾値をさらに向上させるための新しい方向と方法を開く。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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レーザ照射・損傷 
タイトルに関連する用語 (4件):
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