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J-GLOBAL ID：201702244311310154   整理番号：17A0371595

ハロゲン化物レーザ化学蒸着による高配向β-SiCバルクの調製【Powered by NICT】

Preparation of highly oriented β-SiC bulks by halide laser chemical vapor deposition

著者 (6件)： Cheng Hong (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan, 430070, People’s Republic of China) ,  Tu Rong (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan, 430070, People’s Republic of China) ,  Zhang Song (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan, 430070, People’s Republic of China) ,  Han Mingxu (R&D, IBIDEN CO. LTD., 1-1 Kitagata, Ibigawa-cho, Ibi-gun, Gifu, 501-0695, Japan) ,  Goto Takashi (Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Zhang Lianmeng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan, 430070, People’s Republic of China)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 2  ページ： 509-515  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高硬度を有する高度に配向したβ-SiCバルクを前駆体としてSiCl_4,CH_4とH_2を用いたハロゲン化物レーザ化学蒸着(HLCVD)により作製した。優先配向,微細構造,蒸着速度(R)と微小硬さに及ぼす全圧(P_tot)と蒸着温度(T)の影響を調べた。<110>-配向β-SiCバルクは低P_tot(2 4kPa)で得られた,非配向β-SiCバルクは,P_tot(6kPa)をで得られ,<111>配向β-SiCバルクは高いP_tot(10 40kPa)で得られ,ファセット,カリフラワー状および六倍ピラミッド状微細構造を示した。<111>-および<110>-配向β-SiCバルクの最大R科は3600と1300μm/時間であった。lgR_科T科~ 1のプロットにより得られた活性化エネルギーは170 280kJmol~~ 1,P_Siとの指数関数的関係を示した。β-SiCバルクのVickers微小硬さはP_totの増加とともに増加し,完全な<111>方位を持つP_tot=40kPaで35GPaの最高値を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ファセット ,  指数関数 ,  微小硬さ ,  *ハロゲン化物 ,  カリフラワ ,  優先配向 ,  *炭化ケイ素 ,  角錐 ,  微細構造 ,  堆積速度 ,  活性化エネルギー ,  Vickers微小硬さ ,  蒸着温度 ,  全圧 ,  蒸着速度

著者キーワード (5件)： β-SiC ,  優先配向 ,  ハロゲン化物レーザCVD(HLCVD) ,  Microstructure ,  堆積速度(R)

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハロゲン化物 ,  レーザ化学蒸着 ,  配向 ,  SiC ,  バルク ,  調製