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J-GLOBAL ID：201702246493086508   整理番号：17A0057889

温度場の最適化によるSiC上の大面積均一エピタキシャルグラフェン【Powered by NICT】

Large-area uniform epitaxial graphene on SiC by optimizing temperature field

著者 (10件)： Zhang Fusheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Yu Cancan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Sun Li (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Xu Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Hu Xiaobo (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Li Tian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, P. R. China) ,  Zhang Yong (Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong), Jinan, 250061, P. R. China) ,  Wang Ruiqi (Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong), Jinan, 250061, P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 54-57  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積均一単層エピタキシャルグラフェン(EG)は,最適化された温度場における4H-SiCの熱分解により調製した。基板の直径の増大に伴って,半径方向温度変動はまた,より劇的になった。異なる成長システム構成による凸な曲率と平坦な温度場はVR PVTソフトウェアによって得られた。EG表面形態を原子間力顕微鏡(A FM)によって特性化した。グラフェン厚さの均一性をRaman分光法と走査型Kelvinプローブ顕微鏡(SKPM)により同定した。大きな軸方向と半径方向の温度勾配を持つ凸温度場における黒鉛化後,試料の端近くのグラフェンの層は中心付近よりも約1~2層厚かった。同時に,大きなステップから分割多くの乱雑な小さなステップは均一性を減少させた。温度場分布を最適化することにより単層エピタキシャルグラフェン被覆率の比は65%から94%に増加した。さらに,EG層数と均一性の成長温度依存性を調べた。統計的結果は,1700°Cが,高い品質と均一性EGを作製する最適な成長温度であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *炭化ケイ素 ,  被覆率 ,  Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  半径方向 ,  *温度場 ,  温度依存性 ,  温度勾配 ,  キャラクタリゼーション ,  温度変動 ,  *最適化
準シソーラス用語： 成長温度 ,  表面形態 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度場 ,  最適化 ,  SiC ,  大面積 ,  エピタキシャルグラフェン