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J-GLOBAL ID：201702246728980480   整理番号：17A0057913

P-GaNへの銀Ohm接触のための新しい表面処理【Powered by NICT】

A novel surface treatment for the sliver ohmic contacts to P-GaN

著者 (7件)： Qi Chenglin (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Qinjin (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Li (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Zhiqiang (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Yi Xiaoyan (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Li Jinmin (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Junxi (Institute of Semiconductors, State Key Laboratory of Solid State Lighting, Beijing Engineering Research Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina  ページ： 11-13  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系発光ダイオード(LED)の発展に伴い,低抵抗率,良好な熱安定性,および高反射率をもつp-GaN接触の必要性がより緊急になってきた。本論文では,p-GaNとAgとの間の良好なOhm接触を形成するためにp-GaN上の表面処理の新しい方法を提案した。低接触抵抗率ならびにITOのいくつかの孤立した島とNi層の欠如に起因する高い反射率を示すAg/ultrathin ITO/p GaN接触をもつ新しい構造を提案した。CTLM法に基づく7×10~ 2cm~2より低い新しい構造の計算ρ_cはAg/ultrathin ITO/p GaN接触のρ_cは2cm~2より高い超薄ITO層のない接触と比較して低い接触抵抗を持つことを示した。Ag膜は良好な接着を示すテープで剥ぎ取らオフすることができない。この接触で製作したLEDは通常のLEDに比べて20mA順方向電流で30%より高い輝度を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 輝度 ,  電気抵抗率 ,  ニッケル ,  *Ohm接触 ,  熱安定性 ,  接触抵抗 ,  *表面処理 ,  反射率 ,  *窒化ガリウム ,  電流 ,  発光ダイオード ,  *銀
準シソーラス用語： 比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  銀 ,  Ohm接触 ,  表面処理