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J-GLOBAL ID:201702247968402588   整理番号:17A0450112

ハロゲン化物CVDによる<110>配向β-SiCバルクの組成と微細構造に及ぼすCH_4/SiCl_4比の影響【Powered by NICT】

Effect of CH4/SiCl4 ratio on the composition and microstructure of 〈110〉-oriented β-SiC bulks by halide CVD
著者 (10件):
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巻: 37  号:ページ: 1217-1223  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0801B  ISSN: 0955-2219  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ハロゲン化物化学蒸着プロセスは,前駆体の流速(SiCl_4とCH_4)を制御することにより配向した化学量論的β-SiCを作製する迅速に行った。組成,優先配向,微細組織および蒸着速度(R)に及ぼすC,Si前駆体(C/Si)のモル比の影響を調べた。欠陥の低密度のR C/Si<110>配向した化学量論的β-SiCの増加と共に炭素へのシリコンリッチから変換された化学量論的β-SiCへの堆積物は0.86 1.00の範囲,最大R科はR C/Si=1.00で883μm/時間であり,2hの析出で1.7mmの厚さに導くがR C/Siで得られた。リッジ状形態の形成は双晶面伝搬モデルに基づいて議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

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