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J-GLOBAL ID:201702248695958450   整理番号:17A0027285

MOSFETの非線形ドレイン-ソース間容量及び非線形ゲート-ドレイン間容量を考慮したE級電力増幅器の設計

A Class-E Power Amplifier Design Considering MOSFET Nonlinear Drain-to-Source and Nonlinear Gate-to-Drain Capacitances at Any Grading Coefficient
著者 (4件):
資料名:
巻: 31  号: 11  ページ: 7770-7779  発行年: 2016年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,MOSFETボディ接合ダイオードの任意のグレーディング係数におけるMOSFETの非線形ゲート-ドレイン間容量及び非線形ドレイン-ソース間容量を考慮した,E級電力増幅器の理論及び解析を提示した。MOSFETの寄生容量の非線形性の程度はグレーディング係数によって決まった。設計手順においてグレーディング係数を考慮しない場合,E級電力増幅器のスイッチ電圧波形はスイッチング条件を満たさず,電力変換効率が低下した。したがって,グレーディング係数は,E級のゼロ電圧スイッチング(ZVS)及びゼロ電圧勾配スイッチング(ZDS)条件を満たすための重要なパラメータであった。MOSFETのゲート-ドレイン間容量の非線形性は高く,ほとんどのMOSFETにおいてドレイン-ソース間容量の非線形性より高かった。いくつかのケースでは,ゲート-ドレイン間容量の変化が100倍にもなった。この結果は,この非線形性が,スイッチ電圧,出力性能,最大スイッチ電圧などのE級電力増幅器の特性に影響を与えることを示した。このため,ドレイン-ソース間容量とともに,ゲート-ドレイン間容量の非線形性も考慮する必要があった。設計手順を説明するために,4MHzの動作周波数での設計例を提示した。取得したスイッチ電圧において,ZVS及びZDSの条件を実現できた。PSpiceソフトウェアを使用して回路シミュレーションを実施した。提示した理論を検証するために,E級電力増幅器を作製した。測定結果をシミュレーション及び理論の結果によって検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (4件):
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電力変換器  ,  増幅回路  ,  トランジスタ  ,  ダイオード 

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