3D構造のためのドーパント,組成とキャリアプロファイリング【Powered by NICT】

Vandervorst W.; Vandervorst W.; Fleischmann C.; Fleischmann C.; Bogdanowicz J.; Franquet A.; Celano U.; Paredis K.; Budrevich A.

文献

J-GLOBAL ID：201702248875009198 整理番号：17A0475053

3D構造のためのドーパント,組成とキャリアプロファイリング【Powered by NICT】

Dopant, composition and carrier profiling for 3D structures

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資料名：
巻： 62 ページ： 31-48 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

平面から三次元デバイス構造への移行に伴い,FinFET,TFETとナノワイヤなどのデバイスが遍在になった。は,ゲート端に比べてドーパント原子位置決めを必要とし,制御された3D分布,適切な共形性,適切な濃度と活性化,デバイス性能を決定するための全てが分解する必要のある重要な課題であると接触する。次の技術世代のための適切なドーピング技術の開発プロセスステップと基礎となる物理学に関する適切なフィードバックは,タイムリーな方法で,十分な分解能と精度で生成できることをこのような適切な計測法を確立における同時努力を必要とする。3Dデバイスと構造のためのそのような計測ツールと概念の性能を評価する場合,だけでなく3D空間分解能を達成する能力ではなく,成功率,ターンアラウンド時間,スループット,自動化などに及ぼすこの影響が使用した方法の複雑さ,すなわちドーパント対キャリア,プローブした物理的特性に対処する必要がある。データへの時間の点で評価した技術的能力と同様に重要である。本質的に優れた3D分解能(例えば原子プローブ断層撮影)法は,これらの応用に対する理想的な解を提供する可能性があるが,試料調製過程で局所化問題,不均一な蒸発と差動レーザ光吸収による再構成アーチファクト,計数統計による制限された感度,貧弱な先端収率,スループット等によって妨げられているルーチン応用。従って,二次イオン質量分析法(SIMS)のような1D法を用いて補完的な分析では,その高度再現性,適用の容易さと工業的応用を与えられた3D構造中のドーパントまたは組成分析を提供するために検討されている。3D構造における標的キャリアプロファイリングと原子プローブ(またはSIMS)ドーパントプロファイルの補完として閉じ込められた体積は,専用のテスト構造を利用することによりまたはメスSPMのような新しいアプローチを通じた3D計測への走査型プローブ顕微鏡(SPM)法(は本質的に2D)の拡張をもたらした。3D構造と閉じ込められた体積のためのこれらのSPM法を適用すると限られたデバイスにおける変化する表面/体積比はブランケット試料実験では観察されない様々な現象(例えばドーパント不活性化,増速拡散,)をもたらすことを示した。,ブランケット実験の探査に関連して適切な次元を持つデバイスや構造物の解析に置くべきより多くの重点を置いた。このように,この論文で扱う計測概念はこのような研究に非常に有用である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 固体デバイス材料

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