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J-GLOBAL ID：201702249400887690   整理番号：17A0407082

523Kでのマグネトロンスパッタリングを用いて蒸着したCo-N薄膜の構造と磁気的性質【Powered by NICT】

Structural and magnetic properties of Co-N thin films deposited using magnetron sputtering at 523 K

著者 (8件)： Pandey Nidhi (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore, 452 001, India) ,  Gupta Mukul (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore, 452 001, India) ,  Gupta Rachana (Institute of Engineering and Technology DAVV, Khandwa Road, Indore, 452 017, India) ,  Chakravarty Sujay (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu, 603 104, Tamilnadu, India) ,  Shukla Neeraj (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kalpakkam Node, Kokilamedu, 603 104, Tamilnadu, India) ,  Devishvili Anton (Institut Laue-Langevin, rue des Martyrs, 38042, Grenoble Cedex, France) ,  Devishvili Anton (Division of Physical Chemistry, Department of Chemistry, Lund University, 124, Lund, S221 00, Sweden) ,  Devishvili Anton (Department of Physics & Astronomy, Uppsala University, Box 530, SE-75121, Uppsala, Sweden)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 1209-1213  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,523~Kの基板温度(T_s)でのdcマグネトロンスパッタリング法を用いて堆積した窒化コバルト(Co N)薄膜を研究した。スパッタリング中に使用した反応性ガス流(R N 2)に依存せず,この温度で形成されたCo-Nの相はat.%~5Nを持つ同一であるように見えることを見出した。これは低いT_sで形成されたCo-N相とは対照的である。例T_s~300Kでは,Co(N)→Co_4N→Co_3N→CoNから出発してCo-N相の変化をR2は100%に徐々に増加すると見なすことができるが,T_sは523Kに増加した場合,形成された相はfcc Coと共にR N≧2 25%の非常に小さいCo_4N相である。をX線回折(XRD)を用いて試料の磁化を測定するために長範囲規則度,局所構造のCo吸収端でのX線吸収分光法(XAS),磁気光学Kerr効果(MOKE)および偏極中性子反射率(PNR)を調べた。N at.%の定量化を,二次イオン質量分光法(SIMS)を用いて行った。測定は523Kで堆積したCo-N試料の磁気モーメントはバルクCoモーメントよりもわずかに高く,反応性スパッタリングに用いるRN2で影響されないことを示唆した。著者らの結果は,本研究で検討したCo-N薄膜の相形成についての重要な洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収端 ,  窒化 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  磁気モーメント ,  X線吸収分光法 ,  *スパッタリング ,  長範囲規則度 ,  Kerr効果 ,  反応性 ,  基板温度 ,  反応性スパッタリング ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： 相形成 ,  局所構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 窒化コバルト薄膜 ,  テトラ窒化コバルト ,  反応性窒素スパッタリング

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  CO ,  薄膜 ,  磁気的性質