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J-GLOBAL ID：201702250535730458   整理番号：17A0406946

可視領域におけるCu_2ZnSn(S, Se)-4に基づく光検出器の強化された光応答【Powered by NICT】

Enhanced photoresponse of Cu₂ZnSn(S, Se)₄ based photodetector in visible range

著者 (13件)： Gour K.S. (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Gour K.S. (Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Singh O.P. (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Singh O.P. (Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Bhattacharyya Biplab (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Bhattacharyya Biplab (Time & Frequency and Electrical & Electronics Metrology Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Parmar R. (Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Husale Sudhir (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Husale Sudhir (Time & Frequency and Electrical & Electronics Metrology Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Senguttuvan T.D. (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Senguttuvan T.D. (Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Singh V.N. (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India) ,  Singh V.N. (Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi, 110012, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 119-123  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光検出器の高速スイッチング応答は多くの応用に必要である。,地球に豊富な,費用対効果の高い材料の光伝導特性を調べる必要がある。これまで,Cu_2ZnSnS_4(CZTS)系材料の光伝導率研究に基づく二のみ報告されている。本研究では,ソーダ石灰ガラス基板上にCZTSSe薄膜はH_2S後アニーリングの存在下でCZTSeターゲットからの一段階反応性スパッタリングを用いて堆積した。CZTSSe薄膜を特性評価するために実施した光学的,構造的,形態的および元素組成分析。Taucプロットを用いて推定した光学バンドギャップの値は1.45eVであった。XRDパターンの(112)面に対応する非常に強いピークの存在は成長配向であることを示唆した。と同様Raman研究と症例であった。可視領域(励起波長 532nm)におけるCZTSSe薄膜の光伝導率研究を行った。5Vのバイアス電圧では,CZTSSeの可視範囲で応答立ち上がり時間と減衰時間は330msと0.986msであった。応答性,検出性,感度(I_light/I_dark)と外部量子効率の値は14.6mA/W,3.5×10~9Jones,6.9363と3.5%であった。CZTSSeベースの光検出器による最短報告された応答減衰時間は,この研究の新規性である。本研究では,種々の応用のための光検出器としてのCZTSSe薄膜を利用することの可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  X線回折 ,  *光検出器 ,  減衰時間 ,  キャラクタリゼーション ,  薄膜 ,  応答特性 ,  焼なまし ,  光学ギャップ ,  光伝導
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  立上り時間 ,  バイアス電圧 ,  *光応答 ,  *可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 反応性スパッタリング ,  CZTSSe ,  光検出器 ,  薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 可視領域 ,  Se ,  光検出器 ,  強化 ,  光応答